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2024年7月16日周二
  1. 三星电子 · 半导体官方新闻45

    三星电子完成业界最快LPDDR5X验证,将用于联发科旗舰移动平台

    三星电子宣布已完成业界最快10.7Gbps LPDDR5X DRAM的验证,该产品将用于联发科下一代Dimensity平台。此次验证基于三星LPDDR5X 16GB封装,在联发科即将发布的旗舰Dimensity 9400 SoC上完成,双方在三个月内完成合作验证。三星称该LPDDR5X功耗和性能较上代提升超25%,可延长移动设备续航并增强端侧AI性能。

2024年7月9日周二
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  1. 三星电子 · 半导体官方新闻60

    三星电子发布业界首款12纳米级32Gb DDR5 DRAM

    三星电子宣布开发出业界首款、容量最高的12纳米级32Gb DDR5 DRAM,此前已于2023年5月开始量产12纳米级16Gb DDR5 DRAM。该产品在相同封装尺寸下容量为16Gb DDR5的两倍,128GB模块无需TSV工艺即可生产,功耗较采用16Gb DRAM的128GB模块降低约10%。三星计划在今年年底前开始量产该12纳米级32Gb DDR5 DRAM。

    推荐理由:三星披露12纳米级32Gb DDR5 DRAM开发进展与量产时间表,可用于跟踪高容量DRAM技术路线与数据中心能效诉求。

2023年8月29日周二
  1. 三星电子 · 半导体官方新闻20

    三星发布PRO Ultimate存储卡:UHS-I读取速度最高200MB/s,10月上市SD版本

    三星电子发布旗舰UHS-I存储卡PRO Ultimate,提供microSD和全尺寸SD两种规格,容量最高512GB,顺序读取速度最高200MB/s、写入130MB/s。新品搭载28nm控制器,能效较55nm控制器提升37%,并具备防水、防摔、耐温等七重防护及十年有限保修。microSD版本即日起全球上市,SD版本将于2023年10月上市。

2023年7月19日周三
  1. 三星电子 · 半导体官方新闻60

    三星电子宣布完成业界首款GDDR7 DRAM开发

    三星电子宣布已完成业界首款GDDR7 DRAM的开发,今年将率先搭载于主要客户的下一代系统进行验证。该产品为16Gb容量,带宽达1.5TBps、每引脚速率最高32Gbps,采用PAM3信号方式,能效较GDDR6提升20%,热阻降低70%。三星表示将根据行业需求推向市场。

    推荐理由:三星披露GDDR7完成开发及带宽、能效、封装等参数,可了解下一代显存标准的技术路线与客户验证节奏。

2023年7月13日周四