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10月29日周四
10月28日周三
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10月21日周三
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  1. SK海力士 · 官方新闻42

    SK海力士在OCP全球峰会2026展示下一代AI基础设施愿景:以内存为中心的服务器系统

    SK海力士在OCP全球峰会2026(12日至15日于加州圣何塞举行)展示面向服务器的下一代内存解决方案,并提出以CXL池化内存为基础的下一代服务器系统。其CMM-DDR5第二代产品(256GB,基于CXL 3.2)带宽较上一代提升逾一倍至80GB/s,能效提升约30%。SK海力士还与NAVER Cloud等合作,在PoC层面验证了智能体AI环境下的KV缓存共享等方案。

10月14日周三
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10月2日周五
9月29日周二
9月9日周三
  1. 三星电子 · 半导体官方新闻40

    三星电子与Mistral AI宣布战略合作,推进智能驱动半导体基础设施

    三星电子宣布与Mistral AI达成战略合作,将在半导体业务中引入Mistral AI服务及旗舰大语言模型Mistral Large,开发定制化本地部署AI模型。三星还将把针对性AI模型应用于缺陷检测和设备优化,以加速先进存储与逻辑芯片的开发周期、制造精度和良率稳定。三星同时领投了Mistral AI的D轮融资,获得战略股权以支持长期技术合作。

9月8日周二
8月27日周四
8月26日周三
  1. NVIDIA · 投资者关系

    英伟达 2027 财年第二季度营收 962 亿美元,同比增长 106%

    英伟达披露,截至 2026 年 7 月 26 日的季度营收为 962 亿美元,环比增长 18%;数据中心营收为 890 亿美元,同比增长 117%。公司称下一次季度股息为每股 0.25 美元。财年标签为 2027,报告期实际结束于 2026 年,金额口径为美元。

    推荐理由:初始精选 · 已核对官方原文,摘要整理于 2026-10-01。原文发布日期精确到天。

8月5日周三
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    推荐理由:初始精选 · 已核对官方原文,摘要整理于 2026-10-01。原文发布日期精确到天。

  1. 三星电子 · 半导体官方新闻62

    三星电子开始出货业界首款HBM4E样品

    三星电子宣布已开始向主要全球客户出货业界首款12层HBM4E样品,并计划在样品出货和优化后按客户时间表启动量产。该产品引脚速度稳定为14Gbps、可扩展至16Gbps,较HBM4提升逾20%,单堆栈带宽最高3.6TB/s,12层容量48GB、较上一代增加逾30%,并计划按客户需求扩展32GB(8层)和64GB(16层)配置。

    推荐理由:三星披露HBM4E样品出货及速度、容量、能效等参数,可观察下一代HBM产品阶段与量产节奏。

  1. 三星电子 · 半导体官方新闻60

    三星与AMD签署谅解备忘录,扩大下一代AI存储合作

    三星电子宣布与AMD签署谅解备忘录,扩大在下一代AI存储与计算技术上的战略合作。根据备忘录,双方将就下一代AMD AI加速器Instinct MI455X GPU的主要HBM4供应,以及代号“Venice”的第6代AMD EPYC CPU所用先进DRAM方案进行对接。

    推荐理由:三星与AMD签署谅解备忘录,明确HBM4与DDR5供应方向并提及代工合作讨论,可观察AI存储供应链的绑定进展与阶段约束。

  1. 三星电子 · 半导体官方新闻62

    三星电子举行新半导体研发综合体NRD-K设备搬入仪式

    三星电子宣布在其器兴园区为新半导体研发综合体NRD-K举行设备搬入仪式,该综合体2022年动工,将作为存储、System LSI和晶圆代工研发基地。三星计划到2030年为此投资约20万亿韩元,占地约10.9万平方米,其中研发专用产线计划于2025年年中开始运营。

    推荐理由:三星披露其新建半导体研发综合体NRD-K的设备搬入节点、投资规模与专用产线投运时间,可用于跟踪其下一代存储与代工研发节奏。

  1. 三星电子 · 半导体官方新闻60

    三星电子发布业界首款12纳米级32Gb DDR5 DRAM

    三星电子宣布开发出业界首款、容量最高的12纳米级32Gb DDR5 DRAM,此前已于2023年5月开始量产12纳米级16Gb DDR5 DRAM。该产品在相同封装尺寸下容量为16Gb DDR5的两倍,128GB模块无需TSV工艺即可生产,功耗较采用16Gb DRAM的128GB模块降低约10%。三星计划在今年年底前开始量产该12纳米级32Gb DDR5 DRAM。

    推荐理由:三星披露12纳米级32Gb DDR5 DRAM开发进展与量产时间表,可用于跟踪高容量DRAM技术路线与数据中心能效诉求。

  1. 三星电子 · 半导体官方新闻60

    三星电子宣布完成业界首款GDDR7 DRAM开发

    三星电子宣布已完成业界首款GDDR7 DRAM的开发,今年将率先搭载于主要客户的下一代系统进行验证。该产品为16Gb容量,带宽达1.5TBps、每引脚速率最高32Gbps,采用PAM3信号方式,能效较GDDR6提升20%,热阻降低70%。三星表示将根据行业需求推向市场。

    推荐理由:三星披露GDDR7完成开发及带宽、能效、封装等参数,可了解下一代显存标准的技术路线与客户验证节奏。

已经到底了