机构：三星电子第三季度DRAM市场份额排名第一
原文摘录：市场调研机构Counterpoint Research 5日发布数据称，第三季度DRAM市场份额第一为三星电子，占比38%；SK海力士29%、美光21%。三星去年一季度因HBM供应受阻将DRAM榜首让给SK海力士，后拿下主要AI芯片客户HBM供应订单，依托DRAM产能优势于去年四季度重回第一。三季度全球DRAM总营收接近去年同期的5倍，达2000亿美元，本季度DRAM比特出货量仅增长4%，营收增长主要由平均售价（ASP）上涨拉动。
#DRAM
同花顺 · 7×24快讯 东方财富 · 产经资讯 10月DRAM价格再创新高 机构预计四季度涨价态势延续丨盘前线索
原文摘录：据财联社报道，今年10月，全球DRAM合约均价再度刷新历史新高，同时NAND闪存均价延续上月的最高价位。机构预计，今年第四季度，DRAM价格有望环比上涨，而NAND闪存方面，MLC闪存和SLC闪存价格走势将出现分化。存储芯片是构成各类电子系统的核心元器件，主要用于数据的写入、存储与读取，按技术类型可分为DRAM、NAND闪存、NOR闪存等细分品类。
东方财富 · 证券聚焦 涨势不断！10月DRAM价格再创新高 多只绩优超跌股获机构扎堆调研(名单)
原文摘录：【涨势不断！10月DRAM价格再创新高 多只绩优超跌股获机构扎堆调研(名单)】10月DRAM合约均价再创历史新高，机构预计涨价周期仍将延续，多只绩优超跌的存储芯片概念股近期获机构扎堆调研。
东方财富 · 证券聚焦 10月DRAM价格再创新高！机构：四季度涨价态势延续
原文摘录：【10月DRAM价格再创新高！机构：四季度涨价态势延续】今年10月，全球DRAM合约均价再度刷新历史新高，同时NAND闪存均价延续上月的最高价位。机构预计，今年第四季度，DRAM价格有望环比上涨，而NAND闪存方面，MLC闪存和SLC闪存价格走势将出现分化。
同花顺 · 7×24快讯 10月DRAM价格再创新高 机构：四季度涨价态势延续
原文摘录：今年10月，全球DRAM合约均价再度刷新历史新高，NAND闪存均价延续上月最高价位。机构预计，今年第四季度DRAM价格有望环比上涨；NAND闪存方面，MLC闪存和SLC闪存价格走势将出现分化。
东方财富 · 上市公司 兆易创新：利基型DRAM产品供需态势虽有缓和但仍短缺 预计价格仍将在高位维持一段时间
原文摘录：【兆易创新：利基型DRAM产品供需态势虽有缓和但仍短缺 预计价格仍将在高位维持一段时间】兆易创新(603986.SH)发布投资者关系活动记录表公告，在利基型DRAM产品，随着价格的较大幅度上涨，消费电子需求已受到了影响，供需态势虽有缓和但仍短缺，整体产能供给仍然有限，预计价格仍将在高位维持一段时间。
东方财富 · 上市公司 君正股份：预计2027年DRAM仍处于供给偏紧状态，NOR Flash明年产能将有明显增长
原文摘录：【君正股份：预计2027年DRAM仍处于供给偏紧状态，NOR Flash明年产能将有明显增长】君正股份在互动平台表示，从产能来看，DRAM产能目前仍然紧张，预计2027年仍处于供给偏紧状态。公司正在积极拓展新的产能资源，并根据生产和存货情况进行供应的分配。NORFlash目前需求增长较快，预计明年产能将有明显增长。从行业展望来看，预计2027年DRAM仍较为紧张，价格将受供应和需求情况的影响，目前公司存储芯片领域的客户需求仍较为旺盛。
东方财富 · 证券聚焦 2030年DRAM产能接近翻倍，科创半导体设备ETF华泰柏瑞涨超5.6%
原文摘录：【2030年DRAM产能接近翻倍，科创半导体设备ETF华泰柏瑞涨超5.6%】今日市场科技方向的参与情绪明显升温。截至今日13:55，科创半导体设备ETF华泰柏瑞（588710）强势上涨5.6%，跟踪的科创半导体材料设备指数同步走强。指数行业权重高度集中，电子行业占比97.93%。
东方财富 · 上市公司 长鑫科技：基于4F架构的第六代技术平台DRAM完成工程样片验证
原文摘录：【长鑫科技：基于4F架构的第六代技术平台DRAM完成工程样片验证】长鑫科技10月30日在第三季度业绩交流会中透露，在4F2垂直沟道DRAM（动态随机存取存储器）架构取得关键突破的基础之上，第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证。此前长鑫曾在学术论坛上介绍4F2架构进展，此次是长鑫首次宣布第六代工艺技术平台是基于4F2架构。按照产业实践，工程样片验证完成意味着该平台核心性能指标已在真实晶圆上达到设计预期，在客户端完成验证后可进入规模量产阶段。
第一财经 · 最新资讯 长鑫科技：基于4F²架构的第六代技术平台DRAM完成工程样片验证
原文摘录：长鑫科技：基于4F²架构的第六代技术平台DRAM完成工程样片验证
证券时报 · 人民财讯快讯 长鑫科技：基于4F²架构的第六代技术平台DRAM完成工程样片验证
原文摘录：人民财讯10月31日电，长鑫科技10月30日在第三季度业绩交流会中透露，在4F²垂直沟道DRAM（动态随机存取存储器）架构取得关键突破的基础之上，第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证。此前长鑫曾在学术论坛上介绍4F²架构进展，此次是长鑫首次宣布第六代工艺技术平台是基于4F²架构。按照产业实践，工程样片验证完成意味着该平台核心性能指标已在真实晶圆上达到设计预期，在客户端完成验证后可进入规模量产阶段。（澎湃新闻）
东方财富 · 上市公司 长鑫科技：基于4F架构的第六代技术平台DRAM完成工程样片验证
原文摘录：【长鑫科技：基于4F架构的第六代技术平台DRAM完成工程样片验证】10月30日，长鑫科技（688825.SH）在第三季度业绩交流会中透露，在4F2垂直沟道DRAM（动态随机存取存储器）架构取得关键突破的基础之上，第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证。此前长鑫曾在学术论坛上介绍4F2架构进展，此次是长鑫首次宣布第六代工艺技术平台是基于4F2架构。
东方财富 · 上市公司 长鑫科技4F垂直沟道DRAM完成工程样片验证
原文摘录：10月31日，长鑫科技披露最新业绩交流会纪要，公司第六代工艺平台4F2垂直沟道DRAM架构已完成工程样片验证；对应首代DDR5RDIMM产品预计2026年底送样，优先面向AI服务器等高附加值场景，后续视客户验证与市场需求推进规模量产。该架构旨在提升存储芯片单位面积密度，为下一代DRAM迭代打下技术基础。
东方财富 · 产经资讯 海外研选 | 高盛援引行业专家：HBM均价明年或涨122% DRAM涨势或延至2028年
原文摘录：财联社10月28日讯高盛10月27日发布研报，援引其与市场研究机构TrendForce（集邦咨询）举行的存储行业专家会议内容指出，2027年DRAM价格有望持续上涨，涨势甚至可能延续至2028年上半年。与此同时，HBM价格预计出现更大幅度上涨。
第一财经 · 最新资讯 君正股份：DRAM产能仍受限，新增产能预计2027年后才能陆续到位
原文摘录：君正股份：DRAM产能仍受限，新增产能预计2027年后才能陆续到位
证券时报 · 人民财讯快讯 君正股份：DRAM产能仍受限，新增产能预计2027年后才能陆续到位
原文摘录：人民财讯10月28日电，君正股份(300223)10月27日接受机构调研时表示，公司当前战略聚焦于市场客户、产品能力和供应保障三大关键维度。在市场端，重点拓展Nor Flash领域，目前已切入AI服务器市场需求最旺的头部供应商；同时围绕AI存储开展前瞻性研发以把握新的机会。在供应端，Nor Flash产能问题已基本解决，但DRAM产能仍受限，新增产能预计2027年后才能陆续到位，因此2027年DRAM增长可能主要还是来自价格提升。在研发端，持续强化研发力量，依托在上海、苏州…
东方财富 · 上市公司 君正股份：DRAM新增产能预计2027年后陆续到位 模拟芯片这个季度开始有一定调价
原文摘录：【君正股份：DRAM新增产能预计2027年后陆续到位 模拟芯片这个季度开始有一定调价】君正股份(300223.SZ)发布投资者关系活动记录表公告，模拟芯片前三季度基本没怎么涨价，这个季度会开始有一定调价，一方面受上游材料成本上升影响，另一方面，友商已开始涨价。后续具体涨价幅度会根据市场情况动态调整。
第一财经 · 最新资讯 SK海力士：充分利用现有成熟架构 未来适时推进到4F²或3D DRAM平台
原文摘录：SK海力士：充分利用现有成熟架构 未来适时推进到4F²或3D DRAM平台
证券时报 · 人民财讯快讯 SK海力士：充分利用现有成熟架构 未来适时推进到4F²或3D DRAM平台
原文摘录：人民财讯10月28日电，10月28日，SK海力士高管在2026财年第三季度业绩电话会议上就4F²架构推进规划时表示，现阶段公司会尽可能充分利用现有已量产且具备成本竞争力的6F²架构；未来再过渡到4F²或3D DRAM平台。通过EUV的工艺微缩与技术创新，公司已具备进一步扩展当前架构平台的技术能力；对公司现阶段而言，最有效的策略是依托一条量产可靠性与成本竞争力均已得到验证的成熟平台，持续提升产品竞争力；公司导入新一代技术时，会综合考虑性能指标、良率稳定性、成本竞争力以及产品设…
上海证券报 · 中国证券网 HBM将持续涨价，或撬动DRAM全局
原文摘录：一周内，野村证券与加拿大皇家银行资本市场（RBC Capital）相继释放对存储产业的积极判断。 前者认为，市场对人工智能投资前景的担忧属于“反应过度”，存储芯片短缺局面将持续至2028年，而当前存储板块的估值已进入“被严重低估”区间。后者判断，2027年，高带宽内存（HBM）的价格可能上涨80%至100%；随着人工智能需求持续超过供给，HBM价格上涨有望支撑整体DRAM平均销售价格（ASP）。 表面上看，两家机构均在重复“AI需求旺盛、存储涨价”的叙事，但真正值得关注的是…
东方财富 · 产经资讯 HBM将持续涨价，或撬动DRAM全局
原文摘录：一周内，野村证券与加拿大皇家银行资本市场（RBCCapital）相继释放对存储产业的积极判断。前者认为，市场对人工智能投资前景的担忧属于“反应过度”，存储芯片短缺局面将持续至2028年，而当前存储板块的估值已进入“被严重低估”区间。
同花顺 · 7×24快讯 高盛：DRAM价格或持续上涨至2028年上半年 明年HBM市场收入料增超230%
原文摘录：高盛最新研报指出，2027年DRAM与高带宽存储（HBM）市场前景依然强劲。TrendForce预计，服务器需求增长及供应扩张有限将推动DRAM价格持续上涨至2028年上半年，即使消费电子需求疲弱，市场仍将保持供需紧张，长期供货协议（LTA）覆盖率可能达60%至70%。预计2027年HBM综合平均售价同比上涨122%至每Gb 3.7美元，推动全球HBM市场收入同比增长超230%，突破2000亿美元。高盛重申三星电子和SK海力士“买入”评级，12个月目标价分别为50万和350…
东方财富 · 上市公司 美银首予长鑫科技“买入”评级及目标价65元 料受惠DRAM超级周期
原文摘录：【美银首予长鑫科技“买入”评级及目标价65元 料受惠DRAM超级周期】美银证券发布研报，首次覆盖长鑫科技，予“买入”评级，由于公司处于产能急速扩张阶段，以预测明后两年市盈率16倍计(高于国际储存芯片同业，普遍介乎8至10倍)，目标价65元。
同花顺 · 7×24快讯 SK海力士CEO：未来三年DRAM以及HBM产能近乎售罄 中长期销售能见度大幅提升
原文摘录：SK海力士CEO郭鲁正周三在财报会上透露，已敲定的LTA订单叠加客户正在磋商的需求，未来三年直至2029年，公司DRAM及HBM产能实际上已近乎售罄；磋商中的订单均基于客户明确的采购规划，落地概率很高。中长期销售能见度已大幅提升。（财联社）
第一财经 · 最新资讯 SK海力士：DRAM和HBM到2029年的产能已全部售罄
原文摘录：SK海力士：DRAM和HBM到2029年的产能已全部售罄
同花顺 · 7×24快讯 长鑫科技：对全球和中国DRAM产业中长期前景保持坚定信心
原文摘录：记者今日从长鑫科技方面了解到，从中长期看，AI对数据吞吐的需求仍在迅速增长，DRAM作为战略性基础设施的地位将会更加强化；中国作为全球最大的半导体应用市场，提升DRAM自给能力也具有重要的现实意义，发展空间广阔。其表示，“这是一个需要耐心、需要长期主义、需要永葆创业精神的行业。我们对全球和中国DRAM产业的中长期前景，保持坚定信心。”（科创板日报）
东方财富 · 上市公司 长鑫科技：对全球和中国DRAM产业中长期前景保持坚定信心
原文摘录：【长鑫科技：对全球和中国DRAM产业中长期前景保持坚定信心】记者今日从长鑫科技方面了解到，从中长期看，AI对数据吞吐的需求仍在迅速增长，DRAM作为战略性基础设施的地位将会更加强化；中国作为全球最大的半导体应用市场，提升DRAM自给能力也具有重要的现实意义，发展空间广阔。其表示，“这是一个需要耐心、需要长期主义、需要永葆创业精神的行业。我们对全球和中国DRAM产业的中长期前景，保持坚定信心。”
第一财经 · 最新资讯 佰维存储：2026年以来DRAM等主要存储产品价格显著上涨 看好AI产业发展带来的中长期市场机遇
原文摘录：佰维存储：2026年以来DRAM等主要存储产品价格显著上涨 看好AI产业发展带来的中长期市场机遇
东方财富 · 上市公司 佰维存储：2026年以来DRAM、NANDFlash等主要存储产品价格显著上涨 看好AI产业发展带来的中长期市场机遇
原文摘录：【佰维存储：2026年以来DRAM、NANDFlash等主要存储产品价格显著上涨 看好AI产业发展带来的中长期市场机遇】佰维存储(688525.SH)发布关于近期生产经营情况的公告，公司关注到近期行业发展趋势及生产经营情况受市场广泛关注。2026年以来，受人工智能算力基础设施建设持续推进、全球数据中心及云服务厂商存储需求增长等因素影响，DRAM、NANDFlash等主要存储产品价格显著上涨，行业景气度提升。公司看好人工智能产业发展带来的中长期存储市场机遇，将持续发挥在存储解…
东方财富 · 证券聚焦 存储双雄大幅收涨！马斯克称AI制约不在芯片，机构预估四季度DRAM合约价环比涨2成
原文摘录：10月21日，日经225指数收涨0.85%，报64621.24点；韩国KOSPI指数收涨3.29%，报5735.67点。其中，三星电子涨5.67%，SK海力士涨5.8%。当日午后，存储芯片概念震荡反弹，德明利（001309.SZ）逼近涨停，太极实业、同有科技（300302.SZ）、佰维存储（688525.SH）、大普微、香农芯创（300475.SZ）等快速跟涨。
东方财富 · 证券聚焦 DRAM价格仍处于上行周期，四季度合约价或再涨20％，科创芯片ETF博时(588990)跟踪指数早盘最高涨超2%
原文摘录：【DRAM价格仍处于上行周期，四季度合约价或再涨20％，科创芯片ETF博时(588990)跟踪指数早盘最高涨超2%】2026年10月21日盘中，科创芯片ETF博时(588990)跟踪指数上证科创板芯片指数(000685)强势上涨1.23%，早盘最高涨超2%。成分股澜起科技上涨6.00%，恒玄科技上涨5.98%，翱捷科技上涨4.24%，优迅股份，思瑞浦等个股跟涨。
东方财富 · 上市公司 长鑫科技股东会：对DRAM行业保持长期信心
原文摘录：10月19日，长鑫科技集团股份有限公司（以下简称“长鑫科技”）召开2026年第二次临时股东会，会上，长鑫科技介绍了今年前三季度业绩预告情况，该公司预计2026年前三季度实现营业收入2650亿元至2700亿元，同比增长超7倍；预计实现归属于上市公司股东的净利润为1310亿元至1325亿元，实现同比扭亏为盈。
东方财富 · 产经资讯 直击长鑫科技股东会：两大晶圆厂保持高产能利用率 对DRAM行业保持长期信心
原文摘录：上证报中国证券网讯（记者何昕怡）10月19日，长鑫科技举行2026年第二次临时股东会。针对与会股东关心的产能落地与市场供需走势等问题，长鑫科技在交流中回应称，公司目前在合肥、北京两地的晶圆厂持续保持高产能利用率运转，订单饱满，有能力通过多元化的产品矩阵和持续优化的成本结构，从容应对市场变化。结合当前的宏观与产业环境，长鑫科技表示，公司对DRAM行业长期发展保持充足信心。
东方财富 · 上市公司 长鑫科技重磅发声：前三季度归母净利超1310亿元，对DRAM行业保持长期信心
原文摘录：长鑫科技于10月19日召开2026年第二次临时股东会，会议释放强烈的积极信号。在会上，长鑫科技介绍了前三季度业绩预告：预计2026年前三季度实现营业收入2650亿至2700亿元，同比增长超7倍；归母净利润高达1310亿至1325亿元，实现同比扭亏为盈。长鑫科技表示，亮眼的财务表现源于行业景气度上行、产能利用率保持高位以及产品结构持续优化。
中国基金报 · 官网 长鑫科技重磅发声：前三季度归母净利超1310亿元，对DRAM行业保持长期信心
原文摘录：长鑫科技表示，亮眼的财务表现源于行业景气度上行、产能利用率保持高位以及产品结构持续优化。
东方财富 · 上市公司 直击长鑫科技股东会：前三季度归母净利超1310亿元 对DRAM行业保持长期信心
原文摘录：《科创板日报》10月19日讯，长鑫科技于今日（10月19日）召开2026年第二次临时股东会，会议释放强烈的积极信号。在会上，长鑫科技介绍了前三季度业绩预告：预计2026年前三季度实现营业收入2650亿至2700亿元，同比增长超7倍；归母净利润高达1310亿至1325亿元，实现同比扭亏为盈。长鑫科技表示，亮眼的财务表现源于行业景气度上行、产能利用率保持高位以及产品结构持续优化。
东方财富 · 上市公司 长鑫科技：对DRAM行业长期发展保持充足信心
原文摘录：【长鑫科技：对DRAM行业长期发展保持充足信心】长鑫科技今日（10月19日）召开2026年第二次临时股东会。会上，其表示，公司对DRAM行业长期发展保持充足信心。
第一财经 · 最新资讯 美光科技将举办技术网络研讨会 聚焦DRAM、HBM及NAND领域的创新
原文摘录：美光科技将举办技术网络研讨会 聚焦DRAM、HBM及NAND领域的创新
同花顺 · 7×24快讯 美光科技将于10月21日举办技术网络研讨会 聚焦DRAM、HBM及NAND创新
原文摘录：美光科技宣布，将于当地时间10月21日上午8时举办技术网络研讨会，由公司总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer主讲，讨论DRAM、HBM及NAND领域的技术创新。美光表示，下一代AI基础设施将需要更高的带宽、容量及数据传输、存储和访问效率，此次研讨会将介绍公司未来多代技术路线图、客户联合设计及长期研究布局，目标是进一步巩固其未来十年的技术领先地位。（财联社）
东方财富 · 上市公司AI 评分2222 大普微（301666）20%涨停，市值1433亿元，芯片板块部分回暖
10月19日上午，A股芯片板块部分回暖，大普微（301666）股价20%涨停，报328.51元/股，买一封单超4万手，最新市值1433亿元。德明利触及涨停，太极股份、吉大正元双双10%涨停。据巴克莱最新报告，10月份DDR5内存现货价格环比上涨8%，三个月内上涨20%。