长鑫科技宣布G5平台及LPDDR6实现量产
长鑫科技在2026世界制造业大会上宣布第五代DRAM技术平台G5实现量产，并展示基于该平台的大容量LPDDR5X产品，其自研LPDDR6芯片也已实现量产商用。G5平台依托四重曝光技术将有源区半间距微缩至11.95纳米，每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少50%。2026年上半年长鑫科技营业收入1503.1亿元，同比增长约8.7倍，归母净利润776.05亿元，同比扭亏。
#DRAM
东方财富 · 上市公司AI 评分8888 东方财富 · 产经资讯AI 评分6262 深圳华强北内存条一年涨价300%，商户称涨价或持续至2029至2030年
据快科技报道，深圳华强北存储商户称主流内存条价格较去年低点已涨超300%，DDR4 16G内存条从去年最低一百多元涨至目前最低超600元，DDR5 16G从两百多元涨至1400元以上。商户表示本轮涨价核心动力是全球AI算力需求带动上游存储原厂持续上调出货价格，下游非刚需购机需求明显减少。多家头部存储厂商内部预测显示，这轮内存涨价周期可能持续到2029年至2030年。
同花顺 · 7×24快讯 存储周期延续！DRAM大厂计划涨价，涨幅最高达20%
原文摘录：据台湾经济日报7日报道，中国台湾存储厂商南亚科近期陆续通知客户，将再度上调DRAM合约价格，最高涨幅可达20%。南亚科方面表示，针对客户报价相关事宜，不予置评。业内人士认为，随着南亚科启动新一轮合约价上调，涨价效应将逐步传导落地，有望抬升公司平均售价（ASP），改善盈利水平，推动整体经营持续向好。（每经）
东方财富 · 上市公司 DRAM迎超级成长周期 传南亚科计划涨价 涨幅最高达20%
原文摘录：据台湾经济日报7日报道，中国台湾存储厂商南亚科近期陆续通知客户，将再度上调DRAM合约价格，最高涨幅可达20%。针对再度涨价的市场传闻，南亚科方面表示，针对客户报价相关事宜，不予置评。业内人士认为，随着南亚科启动新一轮合约价上调，涨价效应将逐步传导落地，有望抬升公司平均售价（ASP），改善盈利水平，推动整体经营持续向好。受益于存储行业高景气，南亚科今年业绩持续走高。
中国基金报 · 官网AI 评分2222 美股三大指数集体收涨，大型科技股领涨，存储芯片股重挫，中概股普跌，美联储10月加息概率下降
10月2日美股三大指数集体收涨，纳指涨超1%盘中再创新高，道指涨0.49%，标普500指数涨0.73%；特斯拉大涨4.65%，英伟达等科技巨头均涨超1%。存储芯片股重挫，希捷科技、西部数据大跌10%，市场人士认为东芝拟投约600亿日元在菲律宾扩产HDD引发竞争加剧担忧。美国9月非农就业人口增2.9万人不及预期，市场对美联储10月加息定价概率从接近30%降至约20%。
东方财富 · 上市公司AI 评分4242 特朗普称中期选举后或加大打击伊朗；零跑、小米等新势力汽车9月销量公布｜21早新闻
美国总统特朗普表示，美国或将在中期选举后加大对伊朗的打击力度。新势力汽车品牌9月销量公布，零跑交付105656辆，小米交付超40000辆，蔚来交付37408辆，极氪交付37216辆，理想交付31817辆。博通已同意向Anthropic提供最高420亿美元融资，用于基础设施支出及芯片租赁。
三星电子 · 半导体官方新闻精选AI 评分6262 三星电子开始出货业界首款HBM4E样品
三星电子宣布已开始向主要全球客户出货业界首款12层HBM4E样品，并计划在样品出货和优化后按客户时间表启动量产。该产品引脚速度稳定为14Gbps、可扩展至16Gbps，较HBM4提升逾20%，单堆栈带宽最高3.6TB/s，12层容量48GB、较上一代增加逾30%，并计划按客户需求扩展32GB（8层）和64GB（16层）配置。
推荐理由：三星披露HBM4E样品出货及速度、容量、能效等参数，可观察下一代HBM产品阶段与量产节奏。
三星电子 · 半导体官方新闻精选AI 评分6060 三星与AMD签署谅解备忘录，扩大下一代AI存储合作
三星电子宣布与AMD签署谅解备忘录，扩大在下一代AI存储与计算技术上的战略合作。根据备忘录，双方将就下一代AMD AI加速器Instinct MI455X GPU的主要HBM4供应，以及代号“Venice”的第6代AMD EPYC CPU所用先进DRAM方案进行对接。
推荐理由：三星与AMD签署谅解备忘录，明确HBM4与DDR5供应方向并提及代工合作讨论，可观察AI存储供应链的绑定进展与阶段约束。
三星电子 · 半导体官方新闻 Samsung Develops Industry’s First 24Gb GDDR7 DRAM for Next-Generation AI Computing
原文摘录：Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced it has developed the industry’s first 24-gigabit (Gb) GDDR71 DRAM. In addition to the industry’s highest capacity, the GDDR7 features the fastest speed, p…
三星电子 · 半导体官方新闻 Samsung Electronics Begins Mass Production of Industry’s Thinnest LPDDR5X DRAM Packages for On-Device AI
原文摘录：Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced it has begun mass production for the industry’s thinnest 12 nanometer (nm)-class, 12-gigabyte (GB) and 16GB LPDDR5X DRAM packages, solidifying its leaders…
三星电子 · 半导体官方新闻AI 评分4545 三星电子完成业界最快LPDDR5X验证，将用于联发科旗舰移动平台
三星电子宣布已完成业界最快10.7Gbps LPDDR5X DRAM的验证，该产品将用于联发科下一代Dimensity平台。此次验证基于三星LPDDR5X 16GB封装，在联发科即将发布的旗舰Dimensity 9400 SoC上完成，双方在三个月内完成合作验证。三星称该LPDDR5X功耗和性能较上代提升超25%，可延长移动设备续航并增强端侧AI性能。
三星电子 · 半导体官方新闻 Samsung Develops Industry’s Fastest 10.7Gbps LPDDR5X DRAM, Optimized for AI Applications
原文摘录：Samsung Electronics, a world leader in advanced memory technology, today announced that it has developed the industry’s first LPDDR5X DRAM supporting the industry’s highest performance of up to 10.7 gigabits-per-second (Gbps). Leveraging 1…
三星电子 · 半导体官方新闻 Samsung Develops Industry-First 36GB HBM3E 12H DRAM
原文摘录：Samsung Electronics, a world leader in advanced memory technology, today announced that it has developed HBM3E 12H, the industry’s first 12-stack HBM3E DRAM and the highest-capacity HBM product to date. Samsung’s HBM3E 12H provides an all-…
三星电子 · 半导体官方新闻精选AI 评分6060 三星电子发布业界首款12纳米级32Gb DDR5 DRAM
三星电子宣布开发出业界首款、容量最高的12纳米级32Gb DDR5 DRAM，此前已于2023年5月开始量产12纳米级16Gb DDR5 DRAM。该产品在相同封装尺寸下容量为16Gb DDR5的两倍，128GB模块无需TSV工艺即可生产，功耗较采用16Gb DRAM的128GB模块降低约10%。三星计划在今年年底前开始量产该12纳米级32Gb DDR5 DRAM。
推荐理由：三星披露12纳米级32Gb DDR5 DRAM开发进展与量产时间表，可用于跟踪高容量DRAM技术路线与数据中心能效诉求。
三星电子 · 半导体官方新闻精选AI 评分6060 三星电子宣布完成业界首款GDDR7 DRAM开发
三星电子宣布已完成业界首款GDDR7 DRAM的开发，今年将率先搭载于主要客户的下一代系统进行验证。该产品为16Gb容量，带宽达1.5TBps、每引脚速率最高32Gbps，采用PAM3信号方式，能效较GDDR6提升20%，热阻降低70%。三星表示将根据行业需求推向市场。
推荐理由：三星披露GDDR7完成开发及带宽、能效、封装等参数，可了解下一代显存标准的技术路线与客户验证节奏。