长鑫科技发布前三季度业绩预告后盘中市值蒸发超1900亿元
长鑫科技10月16日晚间披露前三季度业绩预告，预计营收2650亿元至2700亿元、同比增长726%~741.5%，净利润1310亿元至1325亿元、同比扭亏为盈；10月19日早盘股价一度跌6.31%，市值蒸发1927亿元，A股市值排名从第一滑落至第三。
推荐理由：材料把长鑫科技三季度业绩预告的同比高增与环比放缓并列，并引用江波龙和TrendForce的价格涨幅收窄数据，可用于观察存储周期边际变化。
#三星
未来 7 天大事
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第一财经 · 最新资讯精选AI 评分7777 东方财富 · 上市公司AI 评分7070 长鑫科技发布前三季度业绩预告后盘中市值蒸发超1900亿元
长鑫科技10月16日晚披露前三季度业绩预告，预计营收2650亿元至2700亿元、净利润1310亿元至1325亿元，同比扭亏为盈；10月19日早盘股价一度跌6.31%，市值蒸发1927亿元，A股市值排名从第一滑落至第三。
东方财富 · 上市公司AI 评分4242 iPhone Duo溢价暴跌；特斯拉高管披露Roadster"飞"技术细节
特斯拉车辆工程副总裁拉尔斯·莫拉维披露，新款Roadster引入源自SpaceX的气体推进系统及风扇负压吸附技术，整车估算重量略低于1700千克，目前有4至5台原型车，计划明年年初扩大原型车制造规模。iPhone Duo本周五开启预售，1TB版本9月11日定价21499元一度溢价至79999元，目前第三方渠道黄牛仅加价3000元。
中国基金报 · 官网AI 评分1010 韩国KOSPI指数盘中由跌转涨，涨幅0.5%
受三星电子股价回升及本土基金积极买入带动，韩国KOSPI指数盘中由一度下挫超3%转为上涨0.5%。
中国基金报 · 官网AI 评分2222 日韩股市集体低开，存储双雄SK海力士、三星电子大跌
10月19日，日韩股市集体低开，韩国KOSPI指数开盘下跌3.17%，SK海力士一度跌逾4%，三星电子一度跌超3%。据报道，韩国承诺将加强监控股市波动；韩国副总理兼财政经济部长李炯日称半导体行业繁荣势头将持续到2027年。日本股市低开低走，日经225指数跌幅一度扩大至2%。
东方财富 · 上市公司AI 评分6262 小K播早报：苹果折叠屏发货排至明年，三星据悉将用台积电3纳米为英伟达生产HBM基底裸片
《科创板日报》10月19日早报显示，苹果首款折叠屏手机周五开放预购后几分钟发货时间即推迟至明年1月，售价1999美元、10月23日发售。DeepSeek公告API网页搜索与抓取按每1000次成功请求5元计费，11月1日00:00起收费，V4.1 Flash更新至V4.1-Flash-1017版本。
东方财富 · 产经资讯AI 评分5858 英伟达定制HBM计划推动三星与台积电联手开发3纳米基底芯片
据快科技报道，英伟达为下一代AI加速器开发的定制HBM（NVHBM）将促使三星与台积电合作开发3纳米基底芯片，美光和SK海力士也被纳入该计划。英伟达表示，NVHBM相比标准HBM4E产品预计可提供高达30%的额外内存带宽，功耗降低最多15%。英伟达要求供应商统一采用台积电3纳米工艺生产基底芯片，核心存储芯片采用第六代DRAM的1c工艺节点；三星仍在评估自家代工产能方案。
中国基金报 · 官网AI 评分1818 韩国KOSPI指数低开3.17%，SK海力士领跌逾4%
10月19日，韩国KOSPI指数开盘报5488.41点，下跌3.17%，SK海力士股价下挫逾4%，三星电子跌超3%。同日，日经225指数低开0.77%，报64819.56点。
第一财经 · 最新资讯AI 评分3434 三星据悉将在英伟达下一代HBM中采用台积电3纳米工艺
据报道，三星电子计划使用台积电3纳米工艺，为英伟达下一代定制高带宽内存生产基底裸片。
新浪财经 · 公司快讯AI 评分5151 报道称三星将在英伟达下一代HBM中采用台积电3纳米工艺
据韩国《首尔经济日报》援引未具名业内人士消息，三星电子计划使用台积电3纳米工艺，为英伟达下一代定制高带宽内存生产基底裸片。报道称英伟达已要求三星、SK海力士和美光在定制NVHBM产品的基底裸片生产上统一采用台积电3纳米工艺，以保障性能一致。该产品基于第七代HBM4E架构开发，若属实将是三星首次在HBM制造环节与台积电合作。
新浪财经 · 公司快讯AI 评分4040 三星将在英伟达下一代HBM芯片中使用台积电技术
三星将在英伟达下一代HBM芯片中使用台积电技术。
东方财富 · 产经资讯AI 评分7575 机构上修SK海力士三季度业绩预期，韩国官员称半导体繁荣至少持续到2027年
据韩国媒体10月18日晚间报道，机构上修SK海力士三季度业绩预期，预测营收98.23万亿韩元、营业利润76.96万亿韩元，部分机构预计营业利润有望突破80万亿韩元，其正式财报将于10月28日发布。机构给出的上修理由是HBM高价长协持续兑现与通用DRAM现货、合约价双重上涨。韩国经济副总理兼财政部长李炯日表示，半导体行业繁荣势头“至少将持续到2027年”。
东方财富 · 上市公司AI 评分5050 多家机构与券商分析师：短期情绪扰动不改科技产业中长期趋势，科创板三季报密集预喜、回购增持活跃
针对近期科技板块调整，多家投资机构和券商分析师表示，短期市场扰动更多是情绪扰动，并非产业逻辑逆转，科技产业中长期趋势仍在。科创板已有20余家上市公司披露2026年前三季度业绩预告，长鑫科技预计前三季度营收约2650亿元至2700亿元、归母净利润约1310亿元至1325亿元，同比扭亏为盈。三季度以来科创板新增回购计划超40份，预计回购金额上限合计近50亿元。
东方财富 · 上市公司AI 评分5252 下周资本市场大事提醒：三季度GDP与LPR将公布，金融街论坛开幕
国家统计局将于10月19日公布三季度GDP、9月工业增加值、固定资产投资、社零等经济数据，同日发布70个大中城市商品住宅销售价格指数月度报告。10月20日1年、5年期LPR将公布，9月1年期LPR为3.0%、5年期以上为3.5%，已连续16个月保持平稳。2026金融街论坛年会定于10月19日至22日在北京举办，潘功胜、丁向群、吴清、朱鹤新将出席并作主题演讲。
东方财富 · 上市公司AI 评分2222 下周2只新股可申购：皇冠新材、天元重工
据目前安排，下周（10月19日至23日）有2只新股可申购，分别为深市主板的皇冠新材和北交所的天元重工。皇冠新材产品已应用于苹果、比亚迪、特斯拉、宁德时代等终端供应链，招股书预计2026年前三季度归母净利润2.25亿元至2.44亿元，同比变动-7.98%至0.00%。天元重工为桥梁受力产品整体解决方案提供商，招股书预计2026年全年净利润7000万元至7500万元，同比增长3.90%至11.32%。
东方财富 · 产经资讯AI 评分6262 苹果首款折叠屏iPhone Duo开启预售，库克称完全在中国制造
苹果首款折叠屏手机iPhone Duo于10月16日开启预售，据CNBC报道首发当日到店取货库存已售罄，部分线上订单配送时间推迟至明年1月下旬，起售价1999美元、2TB版本超过3000美元。
东方财富 · 上市公司AI 评分6060 京东方加码玻璃基封装载板，股价较高点回撤超40%
京东方与康宁宣布升级联合创新空间，合作从传统显示拓展至玻璃基封装载板、钙钛矿器件、光互连等方向；京东方在投资者交流中披露已有24层玻璃基载板产出并送样，通过多项国际信赖性标准测试。
东方财富 · 证券聚焦AI 评分4040 韩财长李炯日：半导体繁荣至少持续至明年，2029年存储芯片市场或现“红海”
韩国财政部长李炯日表示，半导体行业繁荣势头至少将持续到明年，因供需缺口仍大且供应端持续扩张。他同时提及，有专家预计到2029年半导体将出现大量新增供应，存储芯片市场或变成“红海”。上周韩国芯片股遭猛烈抛售，KOSPI指数跌超8%触发熔断，费城半导体指数连续第八个交易日收跌。
同花顺 · 7×24快讯AI 评分4242 DeepX依托先发战略布局全球物理AI市场，计划本月完成三星2纳米新工艺芯片流片
韩国边缘AI芯片初创企业DeepX正依托先发战略布局全球物理AI市场，其旗舰NPU芯片DX-M1已采用三星5纳米工艺实现量产，并推进接入英特尔OpenVINO生态，相关成果预计明年初落地。公司计划本月完成三星2纳米新工艺芯片流片，首批芯片预计明年3至4月产出；2025年8月至2026年7月斩获十余个国家77份订单，已签约27家全球半导体分销商。CEO金洛元表示希望未来三年内完成IPO。
券商中国 · 官网AI 评分2222 港星方力申自曝买NFT巨亏，称亏损金额不敢告诉家人
中国香港演员、歌手方力申近日自曝因买入NFT亏去大量资金，“亏得比我之前炒股还多”，亏损金额至今不敢告诉家人，并告诫观众“千万别学我炒股”。韩国“炒股综艺”同样走热，喜剧演员金元勋称投入约1.8亿韩元炒股后已亏损2000多万韩元。同期美股科技股遭抛售，纳指周五收跌2.15%、全周跌5.64%。
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第一财经 · 最新资讯精选AI 评分7777 长鑫科技发布前三季度业绩预告后盘中市值蒸发超1900亿元
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东方财富 · 产经资讯精选AI 评分7878 IDC：三季度全球智能手机出货量同比降22%，创有纪录以来最大降幅
IDC初步数据显示，2026年第三季度全球智能手机出货量降至2.553亿部，同比萎缩22.0%，创有纪录以来季度同比最大降幅。IDC称存储芯片成本较去年上涨约350%，前五大品牌出货量同比均下滑，OPPO、vivo降幅均超30%。IDC预计市场增长受限至2027年，复苏至少推迟到2028年。
推荐理由：IDC与Omdia的季度出货数据及成本判断，可用于观察存储涨价对手机终端需求与厂商格局的传导。
东方财富 · 上市公司精选AI 评分7878 江波龙发布2026年前三季度业绩预告 第三季度单季净利环比回落
江波龙（301308.SZ）发布2026年前三季度业绩预告，预计营业收入380亿元至400亿元、归母净利润140亿元至149亿元，同比分别增长127.08%至139.03%和1864.55%至1990.84%。
推荐理由：业绩预告给出前三季度及第三季度单季营收、净利区间，并披露存货、现金流与负债率变化，可用于核对存储模组厂在晶圆涨价放缓下的利润与库存传导。
东方财富 · 上市公司精选AI 评分7878 长鑫科技科创板上市两个多月：股价震荡，新技术与业绩同步推进
《科创板日报》报道，长鑫科技登陆科创板两个多月来股价较上市首日收盘价下跌11.04%，最新市值2.96万亿元，自上市至今区间最高价跌幅近30%。公司10月10日宣布预计今年年底推出融合4F²架构及混合键合的新一代DDR5 RDIMM产品，9月20日宣布第五代工艺技术平台量产。2026年上半年公司实现营业收入1503.1亿元，同比增长873.64%，归母净利润776.05亿元，同比扭亏为盈。
推荐理由：材料汇总长鑫科技上市后股价与市值变化、DRAM新技术量产进展及全球存储价格预期，可用于观察国产DRAM厂商技术节奏与存储供需分歧。
东方财富 · 产经资讯精选AI 评分8080 ASML三季度净销售额116.62亿欧元创新高，管理层称光刻设备需求已延伸至2028年后
ASML发布2026年第三季度财报，净销售额116.62亿欧元，环比增长约25%，创单季度新高，净利润49.60亿欧元，环比增长约70%，毛利率升至57.5%。公司预计第四季度净销售额142亿至152亿欧元，全年440亿至450亿欧元，为连续第三个季度上调全年展望。CEO傅恪礼在业绩电话会上表示，客户对光刻设备的需求已延伸至2028年以后，部分客户已表达2029年至2030年设备的采购意向。
推荐理由：材料呈现ASML三季度业绩、四季度及全年指引与产能、提价、客户需求节奏，可用于观察光刻设备供需与存储扩产对设备端的传导。
三星电子 · 半导体官方新闻精选AI 评分6262 三星电子开始出货业界首款HBM4E样品
三星电子宣布已开始向主要全球客户出货业界首款12层HBM4E样品，并计划在样品出货和优化后按客户时间表启动量产。该产品引脚速度稳定为14Gbps、可扩展至16Gbps，较HBM4提升逾20%，单堆栈带宽最高3.6TB/s，12层容量48GB、较上一代增加逾30%，并计划按客户需求扩展32GB（8层）和64GB（16层）配置。
推荐理由：三星披露HBM4E样品出货及速度、容量、能效等参数，可观察下一代HBM产品阶段与量产节奏。
三星电子 · 半导体官方新闻精选AI 评分6060 三星与AMD签署谅解备忘录，扩大下一代AI存储合作
三星电子宣布与AMD签署谅解备忘录，扩大在下一代AI存储与计算技术上的战略合作。根据备忘录，双方将就下一代AMD AI加速器Instinct MI455X GPU的主要HBM4供应，以及代号“Venice”的第6代AMD EPYC CPU所用先进DRAM方案进行对接。
推荐理由：三星与AMD签署谅解备忘录，明确HBM4与DDR5供应方向并提及代工合作讨论，可观察AI存储供应链的绑定进展与阶段约束。
三星电子 · 半导体官方新闻精选AI 评分6262 三星电子举行新半导体研发综合体NRD-K设备搬入仪式
三星电子宣布在其器兴园区为新半导体研发综合体NRD-K举行设备搬入仪式，该综合体2022年动工，将作为存储、System LSI和晶圆代工研发基地。三星计划到2030年为此投资约20万亿韩元，占地约10.9万平方米，其中研发专用产线计划于2025年年中开始运营。
推荐理由：三星披露其新建半导体研发综合体NRD-K的设备搬入节点、投资规模与专用产线投运时间，可用于跟踪其下一代存储与代工研发节奏。
三星电子 · 半导体官方新闻精选AI 评分6060 三星电子发布业界首款12纳米级32Gb DDR5 DRAM
三星电子宣布开发出业界首款、容量最高的12纳米级32Gb DDR5 DRAM，此前已于2023年5月开始量产12纳米级16Gb DDR5 DRAM。该产品在相同封装尺寸下容量为16Gb DDR5的两倍，128GB模块无需TSV工艺即可生产，功耗较采用16Gb DRAM的128GB模块降低约10%。三星计划在今年年底前开始量产该12纳米级32Gb DDR5 DRAM。
推荐理由：三星披露12纳米级32Gb DDR5 DRAM开发进展与量产时间表，可用于跟踪高容量DRAM技术路线与数据中心能效诉求。
三星电子 · 半导体官方新闻精选AI 评分6060 三星电子宣布完成业界首款GDDR7 DRAM开发
三星电子宣布已完成业界首款GDDR7 DRAM的开发，今年将率先搭载于主要客户的下一代系统进行验证。该产品为16Gb容量，带宽达1.5TBps、每引脚速率最高32Gbps，采用PAM3信号方式，能效较GDDR6提升20%，热阻降低70%。三星表示将根据行业需求推向市场。
推荐理由：三星披露GDDR7完成开发及带宽、能效、封装等参数，可了解下一代显存标准的技术路线与客户验证节奏。
已经到底了