SLC NAND布局进一步完善 普冉股份收购诺亚长天49%股权事项获批
原文摘录：上证报中国证券网讯（记者钱佳滢）11月4日晚，普冉股份公告称，公司收到中国证监会出具的《关于同意普冉半导体（上海）股份有限公司发行股份、可转换公司债券购买资产并募集配套资金注册的批复》，收购珠海诺亚长天存储技术有限公司（以下简称“诺亚长天”）49%股权事项正式获得核准。交易完成后，普冉股份将实现对诺亚长天及其全资子公司SHM的100%控股。
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同花顺 · 7×24快讯 高盛：预计NAND供需紧张或延续至2027年
原文摘录：高盛预计NAND供需紧张或延续至2027年，三星和SK海力士NAND明年均价分别同比上涨34%和30%。
东方财富 · 证券聚焦 高盛：NAND供需紧张或延续至2027年 铠侠产能基本售罄
原文摘录：尽管NAND闪存价格在2026年大幅上涨，部分厂商第四季度收入增速预计明显放缓，但高盛认为，行业供需紧张局面尚未结束，2027年价格仍有进一步上涨空间。高盛11月2日发布研报指出，日本存储芯片制造商铠侠（Kioxia）最新业绩及经营展望显示，数据中心和企业级需求持续强劲，支撑NAND市场中长期前景。
东方财富 · 上市公司 佰维存储：2026年以来DRAM、NANDFlash等主要存储产品价格显著上涨 看好AI产业发展带来的中长期市场机遇
原文摘录：【佰维存储：2026年以来DRAM、NANDFlash等主要存储产品价格显著上涨 看好AI产业发展带来的中长期市场机遇】佰维存储(688525.SH)发布关于近期生产经营情况的公告，公司关注到近期行业发展趋势及生产经营情况受市场广泛关注。2026年以来，受人工智能算力基础设施建设持续推进、全球数据中心及云服务厂商存储需求增长等因素影响，DRAM、NANDFlash等主要存储产品价格显著上涨，行业景气度提升。公司看好人工智能产业发展带来的中长期存储市场机遇，将持续发挥在存储解…
第一财经 · 最新资讯 美光科技将举办技术网络研讨会 聚焦DRAM、HBM及NAND领域的创新
原文摘录：美光科技将举办技术网络研讨会 聚焦DRAM、HBM及NAND领域的创新
同花顺 · 7×24快讯 美光科技将于10月21日举办技术网络研讨会 聚焦DRAM、HBM及NAND创新
原文摘录：美光科技宣布，将于当地时间10月21日上午8时举办技术网络研讨会，由公司总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer主讲，讨论DRAM、HBM及NAND领域的技术创新。美光表示，下一代AI基础设施将需要更高的带宽、容量及数据传输、存储和访问效率，此次研讨会将介绍公司未来多代技术路线图、客户联合设计及长期研究布局，目标是进一步巩固其未来十年的技术领先地位。（财联社）
东方财富 · 上市公司AI 评分7575 存储板块三季报预告密集发布 行业景气度持续提升
截至10月18日，已有6家存储板块A股上市公司发布前三季度业绩预告，其中4家预计净利润同比增长，2家预计扭亏为盈。德明利预计前三季度营收275亿元至295亿元、净利润86.5亿元至89.5亿元，江波龙预计净利润140亿元至149亿元，全志科技预计净利润6.4亿元至6.7亿元。
东方财富 · 上市公司AI 评分4242 “豆浆机龙头”九阳股份10日涨近90%，融资净买入2.35亿元
九阳股份近10个交易日股价累计上涨89.46%，近一周获融资净买入2.35亿元，在26只融资净买入超1亿元的个股中排名第三。公司连续发布交易异常波动公告，称以内销为主、美国市场营收占比低，关税政策变化影响较小，且不存在应披露而未披露的资产注入、股权收购或业务重组安排。
东方财富 · 证券聚焦AI 评分4040 韩财长李炯日：半导体繁荣至少持续至明年，2029年存储芯片市场或现“红海”
韩国财政部长李炯日表示，半导体行业繁荣势头至少将持续到明年，因供需缺口仍大且供应端持续扩张。他同时提及，有专家预计到2029年半导体将出现大量新增供应，存储芯片市场或变成“红海”。上周韩国芯片股遭猛烈抛售，KOSPI指数跌超8%触发熔断，费城半导体指数连续第八个交易日收跌。
东方财富 · 上市公司AI 评分2222 易方达沪深300ETF尾盘半小时买入超百亿，A股半导体多股业绩预增
10月15日下午2点25分左右各大指数止跌反弹，易方达沪深300ETF最后半小时买入超百亿元，全天成交超190亿元，创今年1月底以来天量。10月16日A股成交1.56万亿元，半导体成交金额最高超1800亿元，复旦微电、江波龙、沐曦股份等发布三季报业绩利好。
东方财富 · 上市公司AI 评分1212 A股午后单边下行尾盘反抽，三大股指涨跌互现，沪指涨0.24%报3716.28点
10月16日A股三大股指集体高开后午后单边下行、全线翻绿，尾盘反抽后涨跌互现，上证综指涨0.24%报3716.28点，深证成指跌0.12%，创业板指跌0.39%。两市及北交所共3298家上涨、2123家下跌，成交15554亿元，较前一交易日减少776亿元。国防军工、地产、汽车板块领涨，传媒、半导体午后走软，药明康德触及跌停拖累创新药方阵，尾盘银行、保险、煤炭等红利资产护盘。
东方财富 · 上市公司AI 评分3232 长鑫科技市值重回3万亿再登A股榜首，中信证券称4F²技术仍处早期验证阶段
截至10月16日午间收盘，长鑫科技（688825.SH）涨超5%，总市值3.11万亿元，再次超越工商银行（601398.SH）成为A股总市值第一。中信证券10月16日晨报表示，需客观看待存储周期，长鑫科技4F²技术仍处于早期验证阶段，后续需观察良率、产量、毛利率、下游客户认证等指标，该技术对中短期存储产业影响相对较小。
东方财富 · 证券聚焦AI 评分6262 AI算力需求推动半导体设备景气上修，科创半导体设备ETF华泰柏瑞涨超2.64%
截至今日11:25，科创半导体设备ETF华泰柏瑞（588710）上涨2.64%，跟踪的科创半导体材料设备指数同步走强，该指数电子行业权重占比98%。台积电二季度净利润同比增长77.4%，并将2026年资本开支指引上调至600亿至640亿美元区间；美光科技将美国新建工厂长期投资计划追加至2500亿美元。
第一财经 · 最新资讯AI 评分4242 中信证券：建议关注HDD、DRAM、NAND赛道中公司的投资机会
中信证券研报称，近期全球存储芯片股价波动加剧，10月份以来表现显著弱于其他板块，除宏观因素扰动外，市场对长鑫科技4F²技术进展的关注升温，担心中国本土晶圆厂在服务器DDR5市场形成技术破局。研报指出，目前DRAM仍以6F²单元结构为主，4F²技术处于早期验证阶段，后续需观察良率、产量、毛利率、下游客户认证等指标，对中短期存储产业影响相对较小，建议关注HDD、DRAM、NAND赛道中公司的投资机会。
证券时报 · 人民财讯快讯AI 评分4242 中信证券：建议关注HDD、DRAM、NAND赛道中公司的投资机会
中信证券研报称，近期全球存储芯片股价波动加剧，10月以来表现显著弱于其他板块，除宏观因素扰动外，市场亦关注长鑫科技4F²技术进展，担心中国本土晶圆厂在服务器DDR5市场形成技术破局。研报指出，目前DRAM仍以6F²单元结构为主，4F²技术处于早期验证阶段，后续需观察良率、产量、毛利率、下游客户认证等指标，对中短期存储产业影响相对较小，建议关注HDD、DRAM、NAND赛道中公司的投资机会。
东方财富 · 上市公司AI 评分5757 中信证券研报：4F² DRAM仍处早期验证，建议关注HDD、DRAM、NAND赛道机会
中信证券研报称，长鑫科技宣布4F² DRAM架构研发取得关键进展，预计2026年年底推出融合4F²架构与混合键合技术的新一代DDR5 RDIMM产品，引发市场对全球DRAM竞争格局的担忧。
SK海力士 · 官方新闻AI 评分4242 SK海力士在OCP全球峰会2026展示下一代AI基础设施愿景：以内存为中心的服务器系统
SK海力士在OCP全球峰会2026（12日至15日于加州圣何塞举行）展示面向服务器的下一代内存解决方案，并提出以CXL池化内存为基础的下一代服务器系统。其CMM-DDR5第二代产品（256GB，基于CXL 3.2）带宽较上一代提升逾一倍至80GB/s，能效提升约30%。SK海力士还与NAVER Cloud等合作，在PoC层面验证了智能体AI环境下的KV缓存共享等方案。
同花顺 · 7×24快讯AI 评分5858 UBI Research：存储器价格飙升挤压手机组件成本，屏幕面临降级
韩国显示研究机构UBI Research称，存储器价格飙升使智能手机为其它组件留出的成本空间显著缩小，屏幕降级成为制造商被迫选择。该机构称，旗舰设备中存储器与显示屏的物料成本在2025年早期接近，到2026年下半年存储器成本已占整机约40%，大致是屏幕的6倍。其认为这是存储器涨价与OLED产线折旧带来出货价格下行共同作用的结果。
东方财富 · 证券聚焦AI 评分2222 尾盘半小时宽基ETF大放量，沪深300ETF易方达成交额超190亿元创近9个月新高
今日A股主要指数震荡下跌，临近尾盘宽基ETF大幅放量，创业板ETF易方达（159915）、科创50ETF华夏（588000）成交额均超100亿元，沪深300ETF易方达（510310）收盘前半小时放量明显，全天成交额超190亿元，创近9个月新高。
东方财富 · 上市公司AI 评分2525 精智达（688627.SH）湾芯展披露存储与算力芯片全链路测试新进展
深圳半导体设备企业精智达（688627.SH）在2026湾区半导体产业生态博览会上披露，其正依托AIHPC架构构建全栈测试平台，业务从单点突破向“存、算、运、感知”全链路解决方案延伸。
第一财经 · 最新资讯 机构：2026年第二季度长江存储跃居全球NAND出货量第三
原文摘录：机构：2026年第二季度长江存储跃居全球NAND出货量第三
证券时报 · 人民财讯快讯 机构预测：2026年第二季度长江存储跃居全球NAND出货量第三
原文摘录：人民财讯10月15日电，根据Counterpoint Research存储市场追踪与预测，2026年第二季度，长江存储按NAND(闪存)出货量排名升至全球第三，仅次于三星电子和SK海力士，超过铠侠和美光。若将SK海力士旗下Solidigm的出货量剥离计算，长江存储的排名将进一步提升至第二位。在四个季度内（2025年第一季度至2026年第一季度），长江存储的全球NAND营收份额增长超过五成（从9%升至14%），其营收同比增幅最高达478%。
东方财富 · 产经资讯AI 评分6262 全球智能手机三季度出货量同比降20%，苹果iPhone Duo完成大模型备案
Counterpoint Research初步数据显示，2026年第三季度全球智能手机出货量同比下降20%，创2012年以来同期新低，DRAM与NAND价格上行推高BOM成本并加深供应短缺。
东方财富 · 产经资讯AI 评分7575 摩根大通：半导体景气延续，2027年晶圆设备支出或增38%
摩根大通10月12日发布半导体行业第三季度财报季前瞻报告，预计多数覆盖企业将公布稳健的第三季度业绩，并对第四季度及2027年给出积极指引。该行预计全球晶圆制造设备市场规模2026年达1630亿美元、同比增长31%，2027年增长38%至2250亿美元，2028年达2630亿美元。报告认为行业核心矛盾正由需求转向供应，先进制程、存储芯片及封装等环节的产能限制是主要瓶颈。
SK海力士 · 官方新闻 [Inside the Research] In the AI era, NAND moves beyond storage to computing… 3D FeNAND co-optimization at IEEE
原文摘录：SK hynix offers a full-stack portfolio of AI memory solutions optimized for AI systems across all major memory categories, including High Bandwidth Memory(HBM), DRAM, and NAND flash. To highlight the research that underpins these solutions…
同花顺 · 7×24快讯 三星电子正在研发三种类型的 z-NAND闪存
原文摘录：业内人士12日透露，三星电子正在拓展其下一代NAND闪存产品“zNAND”的应用范围，初步研发三种类型的 z-NAND闪存，除了最近发布的z-NAND-O之外，还包括z-NAND-T和z-NAND-I。三星电子去年8月在美国举办的一场存储器相关活动上首次展示了z-NAND-O的样机。(科创板日报)
三星电子 · 半导体官方新闻AI 评分4848 三星电子开始量产面向AI应用的PM9E1 PCIe 5.0 SSD
三星电子宣布已开始量产PM9E1，这是一款采用自研5纳米控制器和第八代V-NAND的PCIe 5.0 SSD，顺序读写速度分别达14.5GB/s和13GB/s，较上代提升逾一倍。该产品提供512GB至4TB容量选项，功耗效率提升超50%，并应用SPDM v1.2安全技术。三星计划以PM9E1为起点向全球PC厂商扩展先进SSD供应。
三星电子 · 半导体官方新闻 Samsung Electronics Develops Industry’s First Automotive SSD Based on 8th-Generation V-NAND
原文摘录：Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced it has successfully developed the industry’s first PCIe 4.0 automotive SSD based on eighth-generation vertical NAND (V-NAND). With industry-leading speeds…
三星电子 · 半导体官方新闻 Samsung Begins Industry’s First Mass Production of QLC 9th-Gen V-NAND for AI Era
原文摘录：Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced it has begun mass production of its one-terabit (Tb) quad-level cell (QLC) 9th-generation vertical NAND (V-NAND). With the industry’s first mass productio…
三星电子 · 半导体官方新闻 Samsung Electronics Begins Industry’s First Mass Production of 9th-Gen V-NAND
原文摘录：Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced that it has begun mass production for its one-terabit (Tb) triple-level cell (TLC) 9th-generation vertical NAND (V-NAND), solidifying its leadership in th…