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10月9日周五
  1. 券商中国 · 官网22

    美伊谈判传新消息,中国资产、黄金白银集体大涨

    北京时间9日晚间,受特朗普称中期选举前不会攻击伊朗、欧洲企业三季度盈利预期强劲及OpenAI年化营收有望达700亿美元等消息影响,欧美股市集体走高,纳斯达克中国金龙指数涨超3%,理想汽车涨超7%。现货黄金涨1.30%报4188美元/盎司,现货白银涨2.76%报60.78美元/盎司。

10月8日周四
10月7日周三
  1. 东方财富 · 产经资讯62

    苏姿丰时隔七个月再访韩,将与三星半导体负责人会谈

    据知情人士透露,AMD首席执行官苏姿丰在韩国访问期间计划于周三(10月7日)与三星电子半导体业务负责人、副会长全永铉会面。苏姿丰于10月6日晚抵达韩国,行程包括与14家韩国AI半导体及生态企业会谈、与韩国科学技术信息通信部交流,并出席当日下午的“AMD玩家日”活动。

  2. 同花顺 · 7×24快讯40

    AMD首席执行官苏姿丰将与三星半导体负责人全永铉会面 应对内存短缺

    据知情人士透露,AMD首席执行官苏姿丰计划于周三与三星电子半导体业务负责人、副会长全永铉会面,三星与AMD均拒绝置评。此次会面正值全球电子产业面临广泛内存产品短缺、内存价格持续飙升之际。今年3月,AMD与三星已就下一代高带宽内存(HBM)及先进存储芯片达成供应协议。

  3. 同花顺 · 7×24快讯62

    三星电机计划到2028年在韩国和越南投资近50亿美元扩产半导体基板

    三星电机计划到2028年在韩国和越南投资近50亿美元用于半导体基板生产,其中韩国世宗工厂投资4.27万亿韩元(32亿美元),越南子公司投资2.51万亿韩元(18.7亿美元),均用于FC-BGA基板。该产品用于AI服务器、机器人和智能汽车芯片,公司曾于2022年宣布在越南北部太原省测试FC-BGA基板,此次扩建表明试生产结果符合预期、已准备好进入大规模量产阶段。

10月6日周二
10月5日周一
  1. 东方财富 · 证券聚焦19

    中国9月外汇储备、金融数据将密集出炉;美联储9月会议纪要将公布丨一周前瞻

    本周(10月5日—10月11日)A股10月1日至7日休市、8日开市,中国9月外汇储备、M2、社融增量及新增人民币贷款将陆续公布,美联储9月货币政策会议纪要及美国初请失业金数据也将出炉。本周16家公司限售股解禁,合计解禁市值390.14亿元,中国神华、中国能建、湖南裕能居前。

10月2日周五
  1. 东方财富 · 上市公司42

    特朗普称中期选举后或加大打击伊朗;零跑、小米等新势力汽车9月销量公布|21早新闻

    美国总统特朗普表示,美国或将在中期选举后加大对伊朗的打击力度。新势力汽车品牌9月销量公布,零跑交付105656辆,小米交付超40000辆,蔚来交付37408辆,极氪交付37216辆,理想交付31817辆。博通已同意向Anthropic提供最高420亿美元融资,用于基础设施支出及芯片租赁。

10月1日周四
9月9日周三
  1. 三星电子 · 半导体官方新闻40

    三星电子与Mistral AI宣布战略合作,推进智能驱动半导体基础设施

    三星电子宣布与Mistral AI达成战略合作,将在半导体业务中引入Mistral AI服务及旗舰大语言模型Mistral Large,开发定制化本地部署AI模型。三星还将把针对性AI模型应用于缺陷检测和设备优化,以加速先进存储与逻辑芯片的开发周期、制造精度和良率稳定。三星同时领投了Mistral AI的D轮融资,获得战略股权以支持长期技术合作。

5月29日周五
  1. 三星电子 · 半导体官方新闻62

    三星电子开始出货业界首款HBM4E样品

    三星电子宣布已开始向主要全球客户出货业界首款12层HBM4E样品,并计划在样品出货和优化后按客户时间表启动量产。该产品引脚速度稳定为14Gbps、可扩展至16Gbps,较HBM4提升逾20%,单堆栈带宽最高3.6TB/s,12层容量48GB、较上一代增加逾30%,并计划按客户需求扩展32GB(8层)和64GB(16层)配置。

    推荐理由:三星披露HBM4E样品出货及速度、容量、能效等参数,可观察下一代HBM产品阶段与量产节奏。

3月19日周四
  1. 三星电子 · 半导体官方新闻60

    三星与AMD签署谅解备忘录,扩大下一代AI存储合作

    三星电子宣布与AMD签署谅解备忘录,扩大在下一代AI存储与计算技术上的战略合作。根据备忘录,双方将就下一代AMD AI加速器Instinct MI455X GPU的主要HBM4供应,以及代号“Venice”的第6代AMD EPYC CPU所用先进DRAM方案进行对接。

    推荐理由:三星与AMD签署谅解备忘录,明确HBM4与DDR5供应方向并提及代工合作讨论,可观察AI存储供应链的绑定进展与阶段约束。

2024年11月18日周一
  1. 三星电子 · 半导体官方新闻62

    三星电子举行新半导体研发综合体NRD-K设备搬入仪式

    三星电子宣布在其器兴园区为新半导体研发综合体NRD-K举行设备搬入仪式,该综合体2022年动工,将作为存储、System LSI和晶圆代工研发基地。三星计划到2030年为此投资约20万亿韩元,占地约10.9万平方米,其中研发专用产线计划于2025年年中开始运营。

    推荐理由:三星披露其新建半导体研发综合体NRD-K的设备搬入节点、投资规模与专用产线投运时间,可用于跟踪其下一代存储与代工研发节奏。

2024年10月4日周五
  1. 三星电子 · 半导体官方新闻48

    三星电子开始量产面向AI应用的PM9E1 PCIe 5.0 SSD

    三星电子宣布已开始量产PM9E1,这是一款采用自研5纳米控制器和第八代V-NAND的PCIe 5.0 SSD,顺序读写速度分别达14.5GB/s和13GB/s,较上代提升逾一倍。该产品提供512GB至4TB容量选项,功耗效率提升超50%,并应用SPDM v1.2安全技术。三星计划以PM9E1为起点向全球PC厂商扩展先进SSD供应。

2024年7月16日周二
  1. 三星电子 · 半导体官方新闻45

    三星电子完成业界最快LPDDR5X验证,将用于联发科旗舰移动平台

    三星电子宣布已完成业界最快10.7Gbps LPDDR5X DRAM的验证,该产品将用于联发科下一代Dimensity平台。此次验证基于三星LPDDR5X 16GB封装,在联发科即将发布的旗舰Dimensity 9400 SoC上完成,双方在三个月内完成合作验证。三星称该LPDDR5X功耗和性能较上代提升超25%,可延长移动设备续航并增强端侧AI性能。

2024年6月27日周四
2023年9月1日周五
  1. 三星电子 · 半导体官方新闻60

    三星电子发布业界首款12纳米级32Gb DDR5 DRAM

    三星电子宣布开发出业界首款、容量最高的12纳米级32Gb DDR5 DRAM,此前已于2023年5月开始量产12纳米级16Gb DDR5 DRAM。该产品在相同封装尺寸下容量为16Gb DDR5的两倍,128GB模块无需TSV工艺即可生产,功耗较采用16Gb DRAM的128GB模块降低约10%。三星计划在今年年底前开始量产该12纳米级32Gb DDR5 DRAM。

    推荐理由:三星披露12纳米级32Gb DDR5 DRAM开发进展与量产时间表,可用于跟踪高容量DRAM技术路线与数据中心能效诉求。

2023年8月29日周二
  1. 三星电子 · 半导体官方新闻20

    三星发布PRO Ultimate存储卡:UHS-I读取速度最高200MB/s,10月上市SD版本

    三星电子发布旗舰UHS-I存储卡PRO Ultimate,提供microSD和全尺寸SD两种规格,容量最高512GB,顺序读取速度最高200MB/s、写入130MB/s。新品搭载28nm控制器,能效较55nm控制器提升37%,并具备防水、防摔、耐温等七重防护及十年有限保修。microSD版本即日起全球上市,SD版本将于2023年10月上市。

2023年7月19日周三
  1. 三星电子 · 半导体官方新闻60

    三星电子宣布完成业界首款GDDR7 DRAM开发

    三星电子宣布已完成业界首款GDDR7 DRAM的开发,今年将率先搭载于主要客户的下一代系统进行验证。该产品为16Gb容量,带宽达1.5TBps、每引脚速率最高32Gbps,采用PAM3信号方式,能效较GDDR6提升20%,热阻降低70%。三星表示将根据行业需求推向市场。

    推荐理由:三星披露GDDR7完成开发及带宽、能效、封装等参数,可了解下一代显存标准的技术路线与客户验证节奏。