iPhone Duo溢价暴跌；特斯拉高管披露Roadster"飞"技术细节
特斯拉车辆工程副总裁拉尔斯·莫拉维披露，新款Roadster引入源自SpaceX的气体推进系统及风扇负压吸附技术，整车估算重量略低于1700千克，目前有4至5台原型车，计划明年年初扩大原型车制造规模。iPhone Duo本周五开启预售，1TB版本9月11日定价21499元一度溢价至79999元，目前第三方渠道黄牛仅加价3000元。
#三星
未来 7 天大事
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东方财富 · 上市公司AI 评分4242 东方财富 · 产经资讯AI 评分5858 英伟达定制HBM计划推动三星与台积电联手开发3纳米基底芯片
据快科技报道，英伟达为下一代AI加速器开发的定制HBM（NVHBM）将促使三星与台积电合作开发3纳米基底芯片，美光和SK海力士也被纳入该计划。英伟达表示，NVHBM相比标准HBM4E产品预计可提供高达30%的额外内存带宽，功耗降低最多15%。英伟达要求供应商统一采用台积电3纳米工艺生产基底芯片，核心存储芯片采用第六代DRAM的1c工艺节点；三星仍在评估自家代工产能方案。
第一财经 · 最新资讯AI 评分3434 三星据悉将在英伟达下一代HBM中采用台积电3纳米工艺
据报道，三星电子计划使用台积电3纳米工艺，为英伟达下一代定制高带宽内存生产基底裸片。
新浪财经 · 公司快讯AI 评分5151 报道称三星将在英伟达下一代HBM中采用台积电3纳米工艺
据韩国《首尔经济日报》援引未具名业内人士消息，三星电子计划使用台积电3纳米工艺，为英伟达下一代定制高带宽内存生产基底裸片。报道称英伟达已要求三星、SK海力士和美光在定制NVHBM产品的基底裸片生产上统一采用台积电3纳米工艺，以保障性能一致。该产品基于第七代HBM4E架构开发，若属实将是三星首次在HBM制造环节与台积电合作。
新浪财经 · 公司快讯AI 评分4040 三星将在英伟达下一代HBM芯片中使用台积电技术
三星将在英伟达下一代HBM芯片中使用台积电技术。
东方财富 · 产经资讯AI 评分7575 机构上修SK海力士三季度业绩预期，韩国官员称半导体繁荣至少持续到2027年
据韩国媒体10月18日晚间报道，机构上修SK海力士三季度业绩预期，预测营收98.23万亿韩元、营业利润76.96万亿韩元，部分机构预计营业利润有望突破80万亿韩元，其正式财报将于10月28日发布。机构给出的上修理由是HBM高价长协持续兑现与通用DRAM现货、合约价双重上涨。韩国经济副总理兼财政部长李炯日表示，半导体行业繁荣势头“至少将持续到2027年”。
东方财富 · 上市公司AI 评分5050 多家机构与券商分析师：短期情绪扰动不改科技产业中长期趋势，科创板三季报密集预喜、回购增持活跃
针对近期科技板块调整，多家投资机构和券商分析师表示，短期市场扰动更多是情绪扰动，并非产业逻辑逆转，科技产业中长期趋势仍在。科创板已有20余家上市公司披露2026年前三季度业绩预告，长鑫科技预计前三季度营收约2650亿元至2700亿元、归母净利润约1310亿元至1325亿元，同比扭亏为盈。三季度以来科创板新增回购计划超40份，预计回购金额上限合计近50亿元。
东方财富 · 上市公司AI 评分6060 京东方加码玻璃基封装载板，股价较高点回撤超40%
京东方与康宁宣布升级联合创新空间，合作从传统显示拓展至玻璃基封装载板、钙钛矿器件、光互连等方向；京东方在投资者交流中披露已有24层玻璃基载板产出并送样，通过多项国际信赖性标准测试。
东方财富 · 证券聚焦AI 评分4040 韩财长李炯日：半导体繁荣至少持续至明年，2029年存储芯片市场或现“红海”
韩国财政部长李炯日表示，半导体行业繁荣势头至少将持续到明年，因供需缺口仍大且供应端持续扩张。他同时提及，有专家预计到2029年半导体将出现大量新增供应，存储芯片市场或变成“红海”。上周韩国芯片股遭猛烈抛售，KOSPI指数跌超8%触发熔断，费城半导体指数连续第八个交易日收跌。
同花顺 · 7×24快讯AI 评分4242 DeepX依托先发战略布局全球物理AI市场，计划本月完成三星2纳米新工艺芯片流片
韩国边缘AI芯片初创企业DeepX正依托先发战略布局全球物理AI市场，其旗舰NPU芯片DX-M1已采用三星5纳米工艺实现量产，并推进接入英特尔OpenVINO生态，相关成果预计明年初落地。公司计划本月完成三星2纳米新工艺芯片流片，首批芯片预计明年3至4月产出；2025年8月至2026年7月斩获十余个国家77份订单，已签约27家全球半导体分销商。CEO金洛元表示希望未来三年内完成IPO。
东方财富 · 上市公司AI 评分2222 易方达沪深300ETF尾盘半小时买入超百亿，A股半导体多股业绩预增
10月15日下午2点25分左右各大指数止跌反弹，易方达沪深300ETF最后半小时买入超百亿元，全天成交超190亿元，创今年1月底以来天量。10月16日A股成交1.56万亿元，半导体成交金额最高超1800亿元，复旦微电、江波龙、沐曦股份等发布三季报业绩利好。
东方财富 · 证券聚焦AI 评分5555 三星生物要约收购Polypeptide初步结果出炉，押注多肽CDMO赛道
三星生物10月13日公布对瑞士多肽CDMO企业Polypeptide集团要约收购的初步中期结果，每股44.31瑞郎，约2901.44万股应约，占目标股份87.88%，超过66.7%的最低接纳门槛。
东方财富 · 上市公司AI 评分1212 A股午后单边下行尾盘反抽，三大股指涨跌互现，沪指涨0.24%报3716.28点
10月16日A股三大股指集体高开后午后单边下行、全线翻绿，尾盘反抽后涨跌互现，上证综指涨0.24%报3716.28点，深证成指跌0.12%，创业板指跌0.39%。两市及北交所共3298家上涨、2123家下跌，成交15554亿元，较前一交易日减少776亿元。国防军工、地产、汽车板块领涨，传媒、半导体午后走软，药明康德触及跌停拖累创新药方阵，尾盘银行、保险、煤炭等红利资产护盘。
东方财富 · 产经资讯AI 评分6060 快科技称长鑫科技明年产能上修约30%，国产HBM3e或迎爆发期
快科技10月16日消息称，长鑫科技2027年产能上修约30%，达到38-42万片晶圆/月，并预计2028年总产能从当前30万片晶圆/月翻倍至60万片晶圆/月。文章称长鑫在DDR、LPDDR等通用内存上追赶较快，HBM方面今年量产HBM4、明年才推出HBM3e，并判断明年国产HBM3e将迎来爆发期。
东方财富 · 上市公司AI 评分3232 长鑫科技市值重回3万亿再登A股榜首，中信证券称4F²技术仍处早期验证阶段
截至10月16日午间收盘，长鑫科技（688825.SH）涨超5%，总市值3.11万亿元，再次超越工商银行（601398.SH）成为A股总市值第一。中信证券10月16日晨报表示，需客观看待存储周期，长鑫科技4F²技术仍处于早期验证阶段，后续需观察良率、产量、毛利率、下游客户认证等指标，该技术对中短期存储产业影响相对较小。
东方财富 · 证券聚焦AI 评分2222 全球市值前20 AI和芯片股本周蒸发逾万亿美元市值，分析师称回调提供买入机会
据东方财富证券聚焦报道，本周截至周四，全球市值最高的20只AI和半导体股票合计蒸发超1万亿美元市值，英伟达、AMD、SK海力士、三星电子等普遍下跌。加息预期升温、AI融资担忧及行业竞争加剧打压市场情绪，博通和英特尔CEO均警告融资或成AI繁荣主要逆风。分析师丹·艾夫斯认为最新回调提供买入机会，AI算力潜在需求依然强劲。
东方财富 · 上市公司AI 评分1212 存储芯片概念震荡反弹 长鑫科技总市值重上3万亿
存储芯片概念盘中震荡反弹，长鑫科技涨超5%，总市值重返3万亿上方，聚辰股份涨超10%，澜起科技、普冉股份、兆易创新、太极实业涨幅靠前。消息面上，早盘韩国股市高开高走，存储芯片龙头SK海力士涨逾3%，三星电子涨近3%。
东方财富 · 产经资讯精选AI 评分7878 IDC：三季度全球智能手机出货量同比降22%，创有纪录以来最大降幅
IDC初步数据显示，2026年第三季度全球智能手机出货量降至2.553亿部，同比萎缩22.0%，创有纪录以来季度同比最大降幅。IDC称存储芯片成本较去年上涨约350%，前五大品牌出货量同比均下滑，OPPO、vivo降幅均超30%。IDC预计市场增长受限至2027年，复苏至少推迟到2028年。
推荐理由：IDC与Omdia的季度出货数据及成本判断，可用于观察存储涨价对手机终端需求与厂商格局的传导。
东方财富 · 上市公司AI 评分7878 长鑫科技上市两月股价震荡，宣布年底推出4F²架构DDR5 RDIMM
长鑫科技登陆科创板两个多月，截至10月15日股价较上市首日收盘价下跌11.04%，最新市值2.96万亿元，较4.2万亿元高点跌破3万亿。公司相关负责人10月10日表示，预计今年年底推出融合4F²架构及混合键合的新一代DDR5 RDIMM产品，此前9月20日宣布第五代工艺平台量产。2026年上半年公司营业收入1503.1亿元，同比增长873.64%，归母净利润776.05亿元，同比扭亏为盈。
第一财经 · 最新资讯AI 评分4242 中信证券：建议关注HDD、DRAM、NAND赛道中公司的投资机会
中信证券研报称，近期全球存储芯片股价波动加剧，10月份以来表现显著弱于其他板块，除宏观因素扰动外，市场对长鑫科技4F²技术进展的关注升温，担心中国本土晶圆厂在服务器DDR5市场形成技术破局。研报指出，目前DRAM仍以6F²单元结构为主，4F²技术处于早期验证阶段，后续需观察良率、产量、毛利率、下游客户认证等指标，对中短期存储产业影响相对较小，建议关注HDD、DRAM、NAND赛道中公司的投资机会。
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东方财富 · 产经资讯精选AI 评分7878 IDC：三季度全球智能手机出货量同比降22%，创有纪录以来最大降幅
IDC初步数据显示，2026年第三季度全球智能手机出货量降至2.553亿部，同比萎缩22.0%，创有纪录以来季度同比最大降幅。IDC称存储芯片成本较去年上涨约350%，前五大品牌出货量同比均下滑，OPPO、vivo降幅均超30%。IDC预计市场增长受限至2027年，复苏至少推迟到2028年。
推荐理由：IDC与Omdia的季度出货数据及成本判断，可用于观察存储涨价对手机终端需求与厂商格局的传导。
东方财富 · 上市公司精选AI 评分7878 长鑫科技科创板上市两个多月：股价震荡，新技术与业绩同步推进
《科创板日报》报道，长鑫科技登陆科创板两个多月来股价较上市首日收盘价下跌11.04%，最新市值2.96万亿元，自上市至今区间最高价跌幅近30%。公司10月10日宣布预计今年年底推出融合4F²架构及混合键合的新一代DDR5 RDIMM产品，9月20日宣布第五代工艺技术平台量产。2026年上半年公司实现营业收入1503.1亿元，同比增长873.64%，归母净利润776.05亿元，同比扭亏为盈。
推荐理由：材料汇总长鑫科技上市后股价与市值变化、DRAM新技术量产进展及全球存储价格预期，可用于观察国产DRAM厂商技术节奏与存储供需分歧。
东方财富 · 产经资讯精选AI 评分8080 ASML三季度净销售额116.62亿欧元创新高，管理层称光刻设备需求已延伸至2028年后
ASML发布2026年第三季度财报，净销售额116.62亿欧元，环比增长约25%，创单季度新高，净利润49.60亿欧元，环比增长约70%，毛利率升至57.5%。公司预计第四季度净销售额142亿至152亿欧元，全年440亿至450亿欧元，为连续第三个季度上调全年展望。CEO傅恪礼在业绩电话会上表示，客户对光刻设备的需求已延伸至2028年以后，部分客户已表达2029年至2030年设备的采购意向。
推荐理由：材料呈现ASML三季度业绩、四季度及全年指引与产能、提价、客户需求节奏，可用于观察光刻设备供需与存储扩产对设备端的传导。
三星电子 · 半导体官方新闻精选AI 评分6262 三星电子开始出货业界首款HBM4E样品
三星电子宣布已开始向主要全球客户出货业界首款12层HBM4E样品，并计划在样品出货和优化后按客户时间表启动量产。该产品引脚速度稳定为14Gbps、可扩展至16Gbps，较HBM4提升逾20%，单堆栈带宽最高3.6TB/s，12层容量48GB、较上一代增加逾30%，并计划按客户需求扩展32GB（8层）和64GB（16层）配置。
推荐理由：三星披露HBM4E样品出货及速度、容量、能效等参数，可观察下一代HBM产品阶段与量产节奏。
三星电子 · 半导体官方新闻精选AI 评分6060 三星与AMD签署谅解备忘录，扩大下一代AI存储合作
三星电子宣布与AMD签署谅解备忘录，扩大在下一代AI存储与计算技术上的战略合作。根据备忘录，双方将就下一代AMD AI加速器Instinct MI455X GPU的主要HBM4供应，以及代号“Venice”的第6代AMD EPYC CPU所用先进DRAM方案进行对接。
推荐理由：三星与AMD签署谅解备忘录，明确HBM4与DDR5供应方向并提及代工合作讨论，可观察AI存储供应链的绑定进展与阶段约束。
三星电子 · 半导体官方新闻精选AI 评分6262 三星电子举行新半导体研发综合体NRD-K设备搬入仪式
三星电子宣布在其器兴园区为新半导体研发综合体NRD-K举行设备搬入仪式，该综合体2022年动工，将作为存储、System LSI和晶圆代工研发基地。三星计划到2030年为此投资约20万亿韩元，占地约10.9万平方米，其中研发专用产线计划于2025年年中开始运营。
推荐理由：三星披露其新建半导体研发综合体NRD-K的设备搬入节点、投资规模与专用产线投运时间，可用于跟踪其下一代存储与代工研发节奏。
三星电子 · 半导体官方新闻精选AI 评分6060 三星电子发布业界首款12纳米级32Gb DDR5 DRAM
三星电子宣布开发出业界首款、容量最高的12纳米级32Gb DDR5 DRAM，此前已于2023年5月开始量产12纳米级16Gb DDR5 DRAM。该产品在相同封装尺寸下容量为16Gb DDR5的两倍，128GB模块无需TSV工艺即可生产，功耗较采用16Gb DRAM的128GB模块降低约10%。三星计划在今年年底前开始量产该12纳米级32Gb DDR5 DRAM。
推荐理由：三星披露12纳米级32Gb DDR5 DRAM开发进展与量产时间表，可用于跟踪高容量DRAM技术路线与数据中心能效诉求。
三星电子 · 半导体官方新闻精选AI 评分6060 三星电子宣布完成业界首款GDDR7 DRAM开发
三星电子宣布已完成业界首款GDDR7 DRAM的开发，今年将率先搭载于主要客户的下一代系统进行验证。该产品为16Gb容量，带宽达1.5TBps、每引脚速率最高32Gbps，采用PAM3信号方式，能效较GDDR6提升20%，热阻降低70%。三星表示将根据行业需求推向市场。
推荐理由：三星披露GDDR7完成开发及带宽、能效、封装等参数，可了解下一代显存标准的技术路线与客户验证节奏。
已经到底了